Ведущие производители памяти — Samsung, SK Hynix и Micron — перешли к финальной стадии валидации стандарта DDR6. Согласно актуальным дорожным картам, массовое производство модулей следующего поколения запланировано на вторую половину 2026 года.
Ожидается, что DDR6 обеспечит двукратный прирост пропускной способности по сравнению с DDR5, предлагая скорости до 12800 МТ/с в базовых конфигурациях и до 17600 МТ/с в оверклокерских решениях. Новая архитектура памяти также будет включать улучшенные механизмы коррекции ошибок (ECC) на уровне чипа, что критически важно для высоконагруженных серверных систем и задач ИИ.
Теги:#Железо10
